سامسونج  تطور أول «DRAM» من الفئة الثالثة بطراز 10 نانومتر

ذاكرة DDR4
ذاكرة DDR4

تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.


وأعلنت شركة سامسونج عن تطوير ذاكرة 1z-nm 8Gb DDR4، لتدعم الجيل القادم من الخوادم وأجهزة الحاسب المتطورة المقرر إطلاقها في 2020.


وفقا لموقع fonearena، من المقرر أن تضع ذاكرة 1z-nm DRAM النواة للجيل القادم من واجهات DRAM، والتي يأتي من بينها DDR5، و LPDDR5، وأيضاً GDDR6.

ترشيحاتنا

إصدارات أخبار اليوم